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Travaux Sur Le Transistor a Ionisation Par Impact (I-Mos)

Frederic Mayer

Published by Editions Universitaires Europeennes
ISBN 10: 6131501734 / ISBN 13: 9786131501739
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Title: Travaux Sur Le Transistor a Ionisation Par ...

Publisher: Editions Universitaires Europeennes

Binding: Paperback

Book Condition: New

Book Type: Paperback

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Paperback. 196 pages. Dimensions: 8.7in. x 5.9in. x 0.5in.Le transistor ionisation par impact (I-MOS) est une nouvelle architecture prsentant lavantage de saffranchir de la barrire des 60mVdec temprature ambiante, qui limite la pente sous le seuil de larchitecture MOSFET classique. Le I-MOS se prsente comme une diode PiN dont la zone intrinsque est partiellement recouverte par une grille. Lobjectif de cette thse est dvaluer les performances du I-MOS comme candidat potentiel laprs CMOS , la fois du point de vue du dispositif unitaire et dans un environnement circuit. Nous avons fabriqu nos dispositifs sur substrats SOI et GeOI et propos un procd innovant de ralisation du I-MOS. Les dispositifs raliss ont t tests lectriquement afin de vrifier les proprits fondamentales du I-MOS (2mVdec mesurs) et de comparer les performances du I-MOS avec celles des MOSFET co-intgrs. Le fonctionnement des I-MOS en mode tunnel bande bande a aussi t observ. Nous avons galement dvelopp un modle analytique pour le I-MOS qui dcrit correctement le fonctionnement lectrique du dispositif. Ce modle a ensuite t intgr dans un environnement SPICE pour raliser des simulations de circuits base de I-MOS. This item ships from multiple locations. Your book may arrive from Roseburg,OR, La Vergne,TN. Bookseller Inventory # 9786131501739

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Synopsis: Le transistor à ionisation par impact (I-MOS) est une nouvelle architecture présentant l'avantage de s'affranchir de la barrière des 60mV/dec à température ambiante, qui limite la pente sous le seuil de l'architecture MOSFET classique. Le I-MOS se présente comme une diode PiN dont la zone intrinsèque est partiellement recouverte par une grille. L'objectif de cette thèse est d'évaluer les performances du I-MOS comme candidat potentiel à " l'après CMOS ", à la fois du point de vue du dispositif unitaire et dans un environnement circuit. Nous avons fabriqué nos dispositifs sur substrats SOI et GeOI et proposé un procédé innovant de réalisation du I-MOS. Les dispositifs réalisés ont été testés électriquement afin de vérifier les propriétés fondamentales du I-MOS (2mV/dec mesurés...) et de comparer les performances du I-MOS avec celles des MOSFET co-intégrés. Le fonctionnement des I-MOS en mode tunnel bande à bande a aussi été observé. Nous avons également développé un modèle analytique pour le I-MOS qui décrit correctement le fonctionnement électrique du dispositif. Ce modèle a ensuite été intégré dans un environnement SPICE pour réaliser des simulations de circuits à base de I-MOS.

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