Modélisation du courant drain induit par la grille: Courant de fuite GIDL (Omn.Univ.Europ.) (French Edition)

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9783841789563: Modélisation du courant drain induit par la grille: Courant de fuite GIDL (Omn.Univ.Europ.) (French Edition)

En se basant sur le modèle des bandes d’énergie nous avons proposé un modèle élaboré du courant de fuite drain induit par la grille qui tient compte des distributions spatiales réelles du champ électrique transversal et du profile du dopage dans la région de recouvrement grille drain. L'effet tunnel bande à bande dans le transistor est attribué non seulement à l'existence d'un champ électrique transversal mais aussi au champ électrique latéral. Par conséquent, le courant de fuite dû à l'effet tunnel bande à bande n'est plus constant pour la même valeur de la tension drain-grille ayant des tensions drain et grille différentes et il dépend fortement des tensions de polarisation du drain et de la grille séparément. En modélisant la densité des défauts localisés dans l'oxyde par une distribution Gaussienne les résultats de simulation révèlent que le courant de fuite dépend des deux types des défauts (accepteurs et donneurs). Une méthode numérique a été proposée pour le calcul du taux tunnel bande à bande assisté par les états d'interface afin de clarifier l'impact des états d'interface sur le courant de fuite.

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About the Author:

Professeur Abdelkader TOUHAMI, docteur d'état es-sciences physiques, études d'électronique et de la microélectronique à l'université Hassan II Ain Chock de Casablanca, responsable d'équipe de recherche en microélectronique au sein de laboratoire de physique des matériaux et de la microélectronique.

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Touhami-A
Published by Univ Europeenne 2012-01-30 (2012)
ISBN 10: 3841789560 ISBN 13: 9783841789563
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Book Description Univ Europeenne 2012-01-30, 2012. paperback. Book Condition: New. Bookseller Inventory # 9783841789563

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Touhami, Abdelkader
ISBN 10: 3841789560 ISBN 13: 9783841789563
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Book Description Book Condition: New. Publisher/Verlag: Éditions universitaires européennes | Courant de fuite GIDL | En se basant sur le modèle des bandes d énergie nous avons proposé un modèle élaboré du courant de fuite drain induit par la grille qui tient compte des distributions spatiales réelles du champ électrique transversal et du profile du dopage dans la région de recouvrement grille drain. L'effet tunnel bande à bande dans le transistor est attribué non seulement à l'existence d'un champ électrique transversal mais aussi au champ électrique latéral. Par conséquent, le courant de fuite dû à l'effet tunnel bande à bande n'est plus constant pour la même valeur de la tension drain-grille ayant des tensions drain et grille différentes et il dépend fortement des tensions de polarisation du drain et de la grille séparément. En modélisant la densité des défauts localisés dans l'oxyde par une distribution Gaussienne les résultats de simulation révèlent que le courant de fuite dépend des deux types des défauts (accepteurs et donneurs). Une méthode numérique a été proposée pour le calcul du taux tunnel bande à bande assisté par les états d'interface afin de clarifier l'impact des états d'interface sur le courant de fuite. | Format: Paperback | Language/Sprache: fre | 160 pp. Bookseller Inventory # K9783841789563

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TOUHAMI-A
Published by OmniScriptum (2016)
ISBN 10: 3841789560 ISBN 13: 9783841789563
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(Uxbridge, United Kingdom)
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Book Description OmniScriptum, 2016. Paperback. Book Condition: New. PRINT ON DEMAND Book; New; Publication Year 2016; Not Signed; Fast Shipping from the UK. No. book. Bookseller Inventory # ria9783841789563_lsuk

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Abdelkader Touhami
Published by Univ Européenne (2012)
ISBN 10: 3841789560 ISBN 13: 9783841789563
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Book Description Univ Européenne, 2012. Book Condition: Neuf. Bookseller Inventory # 9783841789563

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Touhami-A
Published by Omniscriptum (2012)
ISBN 10: 3841789560 ISBN 13: 9783841789563
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Book Description Omniscriptum, 2012. PAP. Book Condition: New. New Book. Shipped from US within 10 to 14 business days. THIS BOOK IS PRINTED ON DEMAND. Established seller since 2000. Bookseller Inventory # IQ-9783841789563

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Abdelkader Touhami
Published by Omniscriptum (2012)
ISBN 10: 3841789560 ISBN 13: 9783841789563
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Book Description Omniscriptum, 2012. PAP. Book Condition: New. New Book. Delivered from our UK warehouse in 3 to 5 business days. THIS BOOK IS PRINTED ON DEMAND. Established seller since 2000. Bookseller Inventory # LQ-9783841789563

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Abdelkader Touhami
Published by Editions Universitaires Europeennes EUE Feb 2012 (2012)
ISBN 10: 3841789560 ISBN 13: 9783841789563
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(Bergisch Gladbach, Germany)
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Book Description Editions Universitaires Europeennes EUE Feb 2012, 2012. Taschenbuch. Book Condition: Neu. Neuware - En se basant sur le modèle des bandes d énergie nous avons proposé un modèle élaboré du courant de fuite drain induit par la grille qui tient compte des distributions spatiales réelles du champ électrique transversal et du profile du dopage dans la région de recouvrement grille drain. L'effet tunnel bande à bande dans le transistor est attribué non seulement à l'existence d'un champ électrique transversal mais aussi au champ électrique latéral. Par conséquent, le courant de fuite dû à l'effet tunnel bande à bande n'est plus constant pour la même valeur de la tension drain-grille ayant des tensions drain et grille différentes et il dépend fortement des tensions de polarisation du drain et de la grille séparément. En modélisant la densité des défauts localisés dans l'oxyde par une distribution Gaussienne les résultats de simulation révèlent que le courant de fuite dépend des deux types des défauts (accepteurs et donneurs). Une méthode numérique a été proposée pour le calcul du taux tunnel bande à bande assisté par les états d'interface afin de clarifier l'impact des états d'interface sur le courant de fuite. 160 pp. Französisch. Bookseller Inventory # 9783841789563

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Abdelkader Touhami
Published by Editions Universitaires Europeennes EUE Feb 2012 (2012)
ISBN 10: 3841789560 ISBN 13: 9783841789563
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Book Description Editions Universitaires Europeennes EUE Feb 2012, 2012. Taschenbuch. Book Condition: Neu. Neuware - En se basant sur le modèle des bandes d énergie nous avons proposé un modèle élaboré du courant de fuite drain induit par la grille qui tient compte des distributions spatiales réelles du champ électrique transversal et du profile du dopage dans la région de recouvrement grille drain. L'effet tunnel bande à bande dans le transistor est attribué non seulement à l'existence d'un champ électrique transversal mais aussi au champ électrique latéral. Par conséquent, le courant de fuite dû à l'effet tunnel bande à bande n'est plus constant pour la même valeur de la tension drain-grille ayant des tensions drain et grille différentes et il dépend fortement des tensions de polarisation du drain et de la grille séparément. En modélisant la densité des défauts localisés dans l'oxyde par une distribution Gaussienne les résultats de simulation révèlent que le courant de fuite dépend des deux types des défauts (accepteurs et donneurs). Une méthode numérique a été proposée pour le calcul du taux tunnel bande à bande assisté par les états d'interface afin de clarifier l'impact des états d'interface sur le courant de fuite. 160 pp. Französisch. Bookseller Inventory # 9783841789563

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Touhami-A
Published by Univ Europeenne, United States (2012)
ISBN 10: 3841789560 ISBN 13: 9783841789563
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Book Description Univ Europeenne, United States, 2012. Paperback. Book Condition: New. Aufl.. Language: French . Brand New Book. En se basant sur le modele des bandes d energie nous avons propose un modele elabore du courant de fuite drain induit par la grille qui tient compte des distributions spatiales reelles du champ electrique transversal et du profile du dopage dans la region de recouvrement grille drain. L effet tunnel bande a bande dans le transistor est attribue non seulement a l existence d un champ electrique transversal mais aussi au champ electrique lateral. Par consequent, le courant de fuite du a l effet tunnel bande a bande n est plus constant pour la meme valeur de la tension drain-grille ayant des tensions drain et grille differentes et il depend fortement des tensions de polarisation du drain et de la grille separement. En modelisant la densite des defauts localises dans l oxyde par une distribution Gaussienne les resultats de simulation revelent que le courant de fuite depend des deux types des defauts (accepteurs et donneurs). Une methode numerique a ete proposee pour le calcul du taux tunnel bande a bande assiste par les etats d interface afin de clarifier l impact des etats d interface sur le courant de fuite. Bookseller Inventory # KNV9783841789563

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Abdelkader Touhami
Published by Editions universitaires europeennes
ISBN 10: 3841789560 ISBN 13: 9783841789563
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(Las Vegas, NV, U.S.A.)
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Book Description Editions universitaires europeennes. Paperback. Book Condition: New. Paperback. 160 pages. Dimensions: 8.7in. x 5.9in. x 0.4in.En se basant sur le modle des bandes dnergie nous avons propos un modle labor du courant de fuite drain induit par la grille qui tient compte des distributions spatiales relles du champ lectrique transversal et du profile du dopage dans la rgion de recouvrement grille drain. Leffet tunnel bande bande dans le transistor est attribu non seulement lexistence dun champ lectrique transversal mais aussi au champ lectrique latral. Par consquent, le courant de fuite d leffet tunnel bande bande nest plus constant pour la mme valeur de la tension drain-grille ayant des tensions drain et grille diffrentes et il dpend fortement des tensions de polarisation du drain et de la grille sparment. En modlisant la densit des dfauts localiss dans loxyde par une distribution Gaussienne les rsultats de simulation rvlent que le courant de fuite dpend des deux types des dfauts (accepteurs et donneurs). Une mthode numrique a t propose pour le calcul du taux tunnel bande bande assist par les tats dinterface afin de clarifier limpact des tats dinterface sur le courant de fuite. This item ships from multiple locations. Your book may arrive from Roseburg,OR, La Vergne,TN. Paperback. Bookseller Inventory # 9783841789563

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