Instrumentation cryogénique en technologie BiCMOS SiGe: Ce manuscrit de thèse est consacré au fonctionnement des technologies bipolaires à ... K et 4.2 K (Omn.Univ.Europ.) (French Edition)

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9786131537035: Instrumentation cryogénique en technologie BiCMOS SiGe: Ce manuscrit de thèse est consacré au fonctionnement des technologies bipolaires à ... K et 4.2 K (Omn.Univ.Europ.) (French Edition)

Les travaux présentés dans ce manuscrit de thèse sont consacrés au fonctionnement des technologies bipolaires, et plus particulièrement des technologies BiCMOS SiGe, pour une utilisation à température cryogénique. Un état de l’art sur les transistors bipolaires et les bruits électroniques que l’on rencontre sur ce genre de technologie sont donnés avec une approche orientée vers les basses températures. Ces rappels permettent d’aborder les mesures, des paramètres basse fréquence et du bruit, réalisées sur des transistors bipolaires silicium et sur deux technologies SiGe à 300 K, 77 K et 4.2 K. Il est ensuite présenté deux réalisations d’ASIC cryogénique en technologie standard BiCMOS SiGe. La première est un amplificateur bas bruit (1 nV/sqrtHz) et large bande (1 GHz) fonctionnant à 77 K. Il est destiné à la caractérisation de bolomètres supraconducteurs YBaCuO à électrons chauds. La seconde réalisation est un circuit de lecture et de multiplexage de matrice de SQUID. Il est, en particulier, présenté le développement, la réalisation et le test d’un amplificateur ultra bas bruit (0.2 nV/sqrtHz) à entrées multiplexées fonctionnant à 4.2 K.

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About the Author:

Damien PRELE a effectué sa Thèse après un DEA d’électronique àParis 6. Il a enseigné plusieurs années l’électronique à Jussieu et a réalisé des ASICpour la lecture de matrices de bolomètres supraconducteurs. Il est depuis 2007ingénieur de recherche au CNRS au laboratoire APC dans une équipe spécialisée enmicroélectronique cryogénique.

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Prele-D
Published by Univ Europeenne, United States (2014)
ISBN 10: 6131537038 ISBN 13: 9786131537035
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Book Description Univ Europeenne, United States, 2014. Paperback. Book Condition: New. Language: French . This book usually ship within 10-15 business days and we will endeavor to dispatch orders quicker than this where possible. Brand New Book. Les travaux presentes dans ce manuscrit de these sont consacres au fonctionnement des technologies bipolaires, et plus particulierement des technologies BiCMOS SiGe, pour une utilisation a temperature cryogenique. Un etat de l art sur les transistors bipolaires et les bruits electroniques que l on rencontre sur ce genre de technologie sont donnes avec une approche orientee vers les basses temperatures. Ces rappels permettent d aborder les mesures, des parametres basse frequence et du bruit, realisees sur des transistors bipolaires silicium et sur deux technologies SiGe a 300 K, 77 K et 4.2 K. Il est ensuite presente deux realisations d ASIC cryogenique en technologie standard BiCMOS SiGe. La premiere est un amplificateur bas bruit (1 nV/sqrtHz) et large bande (1 GHz) fonctionnant a 77 K. Il est destine a la caracterisation de bolometres supraconducteurs YBaCuO a electrons chauds. La seconde realisation est un circuit de lecture et de multiplexage de matrice de SQUID. Il est, en particulier, presente le developpement, la realisation et le test d un amplificateur ultra bas bruit (0.2 nV/sqrtHz) a entrees multiplexees fonctionnant a 4.2 K. Bookseller Inventory # OMN9786131537035

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Prele-D
Published by Univ Europeenne, United States (2014)
ISBN 10: 6131537038 ISBN 13: 9786131537035
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Book Description Univ Europeenne, United States, 2014. Paperback. Book Condition: New. Language: French . Brand New Book. Les travaux presentes dans ce manuscrit de these sont consacres au fonctionnement des technologies bipolaires, et plus particulierement des technologies BiCMOS SiGe, pour une utilisation a temperature cryogenique. Un etat de l art sur les transistors bipolaires et les bruits electroniques que l on rencontre sur ce genre de technologie sont donnes avec une approche orientee vers les basses temperatures. Ces rappels permettent d aborder les mesures, des parametres basse frequence et du bruit, realisees sur des transistors bipolaires silicium et sur deux technologies SiGe a 300 K, 77 K et 4.2 K. Il est ensuite presente deux realisations d ASIC cryogenique en technologie standard BiCMOS SiGe. La premiere est un amplificateur bas bruit (1 nV/sqrtHz) et large bande (1 GHz) fonctionnant a 77 K. Il est destine a la caracterisation de bolometres supraconducteurs YBaCuO a electrons chauds. La seconde realisation est un circuit de lecture et de multiplexage de matrice de SQUID. Il est, en particulier, presente le developpement, la realisation et le test d un amplificateur ultra bas bruit (0.2 nV/sqrtHz) a entrees multiplexees fonctionnant a 4.2 K. Bookseller Inventory # KNV9786131537035

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Published by Univ Europeenne, United States (2014)
ISBN 10: 6131537038 ISBN 13: 9786131537035
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Book Description Univ Europeenne, United States, 2014. Paperback. Book Condition: New. Language: French . Brand New Book. Les travaux presentes dans ce manuscrit de these sont consacres au fonctionnement des technologies bipolaires, et plus particulierement des technologies BiCMOS SiGe, pour une utilisation a temperature cryogenique. Un etat de l art sur les transistors bipolaires et les bruits electroniques que l on rencontre sur ce genre de technologie sont donnes avec une approche orientee vers les basses temperatures. Ces rappels permettent d aborder les mesures, des parametres basse frequence et du bruit, realisees sur des transistors bipolaires silicium et sur deux technologies SiGe a 300 K, 77 K et 4.2 K. Il est ensuite presente deux realisations d ASIC cryogenique en technologie standard BiCMOS SiGe. La premiere est un amplificateur bas bruit (1 nV/sqrtHz) et large bande (1 GHz) fonctionnant a 77 K. Il est destine a la caracterisation de bolometres supraconducteurs YBaCuO a electrons chauds. La seconde realisation est un circuit de lecture et de multiplexage de matrice de SQUID. Il est, en particulier, presente le developpement, la realisation et le test d un amplificateur ultra bas bruit (0.2 nV/sqrtHz) a entrees multiplexees fonctionnant a 4.2 K. Bookseller Inventory # KNV9786131537035

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Prele-D
Published by Univ Europeenne 2010-09-23 (2010)
ISBN 10: 6131537038 ISBN 13: 9786131537035
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Damien Prêle
Published by Univ Européenne (2010)
ISBN 10: 6131537038 ISBN 13: 9786131537035
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PRELE-D
Published by OmniScriptum (2016)
ISBN 10: 6131537038 ISBN 13: 9786131537035
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(Uxbridge, United Kingdom)
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Book Description OmniScriptum, 2016. Paperback. Book Condition: New. PRINT ON DEMAND Book; New; Publication Year 2016; Not Signed; Fast Shipping from the UK. No. book. Bookseller Inventory # ria9786131537035_lsuk

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Damien Prle
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ISBN 10: 6131537038 ISBN 13: 9786131537035
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Damien Prle
Published by Omniscriptum (2015)
ISBN 10: 6131537038 ISBN 13: 9786131537035
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Book Description Omniscriptum, 2015. PAP. Book Condition: New. New Book. Shipped from US within 10 to 14 business days. THIS BOOK IS PRINTED ON DEMAND. Established seller since 2000. Bookseller Inventory # IQ-9786131537035

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Damien Prêle
Published by Editions Universitaires Europeennes EUE Mai 2014 (2014)
ISBN 10: 6131537038 ISBN 13: 9786131537035
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Book Description Editions Universitaires Europeennes EUE Mai 2014, 2014. Taschenbuch. Book Condition: Neu. Neuware - Les travaux présentés dans ce manuscrit de thèse sont consacrés au fonctionnement des technologies bipolaires, et plus particulièrement des technologies BiCMOS SiGe, pour une utilisation à température cryogénique. Un état de l art sur les transistors bipolaires et les bruits électroniques que l on rencontre sur ce genre de technologie sont donnés avec une approche orientée vers les basses températures. Ces rappels permettent d aborder les mesures, des paramètres basse fréquence et du bruit, réalisées sur des transistors bipolaires silicium et sur deux technologies SiGe à 300 K, 77 K et 4.2 K. Il est ensuite présenté deux réalisations d ASIC cryogénique en technologie standard BiCMOS SiGe. La première est un amplificateur bas bruit (1 nV/sqrtHz) et large bande (1 GHz) fonctionnant à 77 K. Il est destiné à la caractérisation de bolomètres supraconducteurs YBaCuO à électrons chauds. La seconde réalisation est un circuit de lecture et de multiplexage de matrice de SQUID. Il est, en particulier, présenté le développement, la réalisation et le test d un amplificateur ultra bas bruit (0.2 nV/sqrtHz) à entrées multiplexées fonctionnant à 4.2 K. 208 pp. Französisch. Bookseller Inventory # 9786131537035

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Damien Prêle
Published by Editions Universitaires Europeennes EUE Mai 2014 (2014)
ISBN 10: 6131537038 ISBN 13: 9786131537035
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Book Description Editions Universitaires Europeennes EUE Mai 2014, 2014. Taschenbuch. Book Condition: Neu. Neuware - Les travaux présentés dans ce manuscrit de thèse sont consacrés au fonctionnement des technologies bipolaires, et plus particulièrement des technologies BiCMOS SiGe, pour une utilisation à température cryogénique. Un état de l art sur les transistors bipolaires et les bruits électroniques que l on rencontre sur ce genre de technologie sont donnés avec une approche orientée vers les basses températures. Ces rappels permettent d aborder les mesures, des paramètres basse fréquence et du bruit, réalisées sur des transistors bipolaires silicium et sur deux technologies SiGe à 300 K, 77 K et 4.2 K. Il est ensuite présenté deux réalisations d ASIC cryogénique en technologie standard BiCMOS SiGe. La première est un amplificateur bas bruit (1 nV/sqrtHz) et large bande (1 GHz) fonctionnant à 77 K. Il est destiné à la caractérisation de bolomètres supraconducteurs YBaCuO à électrons chauds. La seconde réalisation est un circuit de lecture et de multiplexage de matrice de SQUID. Il est, en particulier, présenté le développement, la réalisation et le test d un amplificateur ultra bas bruit (0.2 nV/sqrtHz) à entrées multiplexées fonctionnant à 4.2 K. 208 pp. Französisch. Bookseller Inventory # 9786131537035

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