Etude d'un modulateur électro-optique en SiGe/Si: Conception et réalisation d'une structure de multipuits quantiques SiGe/Si à dopage modulé sur ... à 1,3 µm (Omn.Univ.Europ.) (French Edition)

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9786131540257: Etude d'un modulateur électro-optique en SiGe/Si: Conception et réalisation d'une structure de multipuits quantiques SiGe/Si à dopage modulé sur ... à 1,3 µm (Omn.Univ.Europ.) (French Edition)

Les travaux présentés participent au développement de composants optoélectroniques dans la ?lière silicium s'appuyant sur les procédés microélectroniques. Ils présentent l'étude d'un modulateur de lumière à la longueur d'onde de 1,3 microns, basé sur une structure de multipuits SiGe/Si à dopage modulé sur substrat silicium sur isolant. La structure est placée dans la région intrinsèque d'une jonction pin a?n de contrôler la densité de trous dans les puits SiGe par l'application d'une tension inverse. La modulation optique est obtenue par la variation d'indice de réfraction des couches SiGe suivant la concentration de trous. L'écriture d'un outil de simulation exploité en plans d'expériences a permis de déterminer les in?uences respectives des paramètres de la structure sur l'ef?cacité du dispositif. Les étapes technologiques ont été validées sur des composants de test. Les mesures capacité-tension ont permis de remonter aux profils de trous dans la structure en cohérence avec la simulation numérique. La modulation optique a été mise en évidence par la mesure de la variation du coefficient de transmission du multicouche par l'application d'une tension.

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About the Author:

Arnaud Cordat est né en France en 1975. Après des études d'ingénieur physicien, il soutient une thèse en optoélectronique à l'Université Paris XI en 2002. Il est ensuite recruté par Sagem au laboratoire de développement des imageurs infrarouge. Depuis 2009, il dirige l'équipe de développement et support à la fabrication sur cette technologie.

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Cordat-A
Published by Univ Europeenne, United States (2011)
ISBN 10: 613154025X ISBN 13: 9786131540257
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Book Description Univ Europeenne, United States, 2011. Paperback. Book Condition: New. Language: French . This book usually ship within 10-15 business days and we will endeavor to dispatch orders quicker than this where possible. Brand New Book. Les travaux presentes participent au developpement de composants optoelectroniques dans la liere silicium s appuyant sur les procedes microelectroniques. Ils presentent l etude d un modulateur de lumiere a la longueur d onde de 1,3 microns, base sur une structure de multipuits SiGe/Si a dopage module sur substrat silicium sur isolant. La structure est placee dans la region intrinseque d une jonction pin a n de controler la densite de trous dans les puits SiGe par l application d une tension inverse. La modulation optique est obtenue par la variation d indice de refraction des couches SiGe suivant la concentration de trous. L ecriture d un outil de simulation exploite en plans d experiences a permis de determiner les in uences respectives des parametres de la structure sur l ef cacite du dispositif. Les etapes technologiques ont ete validees sur des composants de test. Les mesures capacite-tension ont permis de remonter aux profils de trous dans la structure en coherence avec la simulation numerique. La modulation optique a ete mise en evidence par la mesure de la variation du coefficient de transmission du multicouche par l application d une tension. Bookseller Inventory # OMN9786131540257

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Cordat-A
Published by Univ Europeenne, United States (2011)
ISBN 10: 613154025X ISBN 13: 9786131540257
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Book Description Univ Europeenne, United States, 2011. Paperback. Book Condition: New. Language: French . Brand New Book. Les travaux presentes participent au developpement de composants optoelectroniques dans la liere silicium s appuyant sur les procedes microelectroniques. Ils presentent l etude d un modulateur de lumiere a la longueur d onde de 1,3 microns, base sur une structure de multipuits SiGe/Si a dopage module sur substrat silicium sur isolant. La structure est placee dans la region intrinseque d une jonction pin a n de controler la densite de trous dans les puits SiGe par l application d une tension inverse. La modulation optique est obtenue par la variation d indice de refraction des couches SiGe suivant la concentration de trous. L ecriture d un outil de simulation exploite en plans d experiences a permis de determiner les in uences respectives des parametres de la structure sur l ef cacite du dispositif. Les etapes technologiques ont ete validees sur des composants de test. Les mesures capacite-tension ont permis de remonter aux profils de trous dans la structure en coherence avec la simulation numerique. La modulation optique a ete mise en evidence par la mesure de la variation du coefficient de transmission du multicouche par l application d une tension. Bookseller Inventory # KNV9786131540257

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Cordat-A
Published by Univ Europeenne 2011-02-14 (2011)
ISBN 10: 613154025X ISBN 13: 9786131540257
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Book Description Univ Europeenne 2011-02-14, 2011. paperback. Book Condition: New. Bookseller Inventory # 9786131540257

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Cordat-A
Published by Univ Europeenne, United States (2011)
ISBN 10: 613154025X ISBN 13: 9786131540257
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Book Description Univ Europeenne, United States, 2011. Paperback. Book Condition: New. Language: French . Brand New Book. Les travaux presentes participent au developpement de composants optoelectroniques dans la liere silicium s appuyant sur les procedes microelectroniques. Ils presentent l etude d un modulateur de lumiere a la longueur d onde de 1,3 microns, base sur une structure de multipuits SiGe/Si a dopage module sur substrat silicium sur isolant. La structure est placee dans la region intrinseque d une jonction pin a n de controler la densite de trous dans les puits SiGe par l application d une tension inverse. La modulation optique est obtenue par la variation d indice de refraction des couches SiGe suivant la concentration de trous. L ecriture d un outil de simulation exploite en plans d experiences a permis de determiner les in uences respectives des parametres de la structure sur l ef cacite du dispositif. Les etapes technologiques ont ete validees sur des composants de test. Les mesures capacite-tension ont permis de remonter aux profils de trous dans la structure en coherence avec la simulation numerique. La modulation optique a ete mise en evidence par la mesure de la variation du coefficient de transmission du multicouche par l application d une tension. Bookseller Inventory # KNV9786131540257

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CORDAT-A
Published by OmniScriptum (2016)
ISBN 10: 613154025X ISBN 13: 9786131540257
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Book Description OmniScriptum, 2016. Paperback. Book Condition: New. PRINT ON DEMAND Book; New; Publication Year 2016; Not Signed; Fast Shipping from the UK. No. book. Bookseller Inventory # ria9786131540257_lsuk

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Arnaud Cordat
Published by Omniscriptum (2015)
ISBN 10: 613154025X ISBN 13: 9786131540257
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Book Description Omniscriptum, 2015. PAP. Book Condition: New. New Book. Delivered from our UK warehouse in 3 to 5 business days. THIS BOOK IS PRINTED ON DEMAND. Established seller since 2000. Bookseller Inventory # LQ-9786131540257

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Arnaud Cordat
Published by Omniscriptum (2011)
ISBN 10: 613154025X ISBN 13: 9786131540257
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Book Description Omniscriptum, 2011. PAP. Book Condition: New. New Book. Shipped from US within 10 to 14 business days. THIS BOOK IS PRINTED ON DEMAND. Established seller since 2000. Bookseller Inventory # IQ-9786131540257

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8.

Arnaud CORDAT
Published by Univ Européenne (2011)
ISBN 10: 613154025X ISBN 13: 9786131540257
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(Gif sur Yvette, France)
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Book Description Univ Européenne, 2011. Book Condition: Neuf. Bookseller Inventory # 9786131540257

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9.

Arnaud CORDAT
Published by Editions Universitaires Europeennes EUE Feb 2011 (2011)
ISBN 10: 613154025X ISBN 13: 9786131540257
New Taschenbuch Quantity Available: 2
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Book Description Editions Universitaires Europeennes EUE Feb 2011, 2011. Taschenbuch. Book Condition: Neu. Neuware - Les travaux présentés participent au développement de composants optoélectroniques dans la lière silicium s'appuyant sur les procédés microélectroniques. Ils présentent l'étude d'un modulateur de lumière à la longueur d'onde de 1,3 microns, basé sur une structure de multipuits SiGe/Si à dopage modulé sur substrat silicium sur isolant. La structure est placée dans la région intrinsèque d'une jonction pin a n de contrôler la densité de trous dans les puits SiGe par l'application d'une tension inverse. La modulation optique est obtenue par la variation d'indice de réfraction des couches SiGe suivant la concentration de trous. L'écriture d'un outil de simulation exploité en plans d'expériences a permis de déterminer les in uences respectives des paramètres de la structure sur l'ef cacité du dispositif. Les étapes technologiques ont été validées sur des composants de test. Les mesures capacité-tension ont permis de remonter aux profils de trous dans la structure en cohérence avec la simulation numérique. La modulation optique a été mise en évidence par la mesure de la variation du coefficient de transmission du multicouche par l'application d'une tension. 220 pp. Französisch. Bookseller Inventory # 9786131540257

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Arnaud CORDAT
Published by Editions Universitaires Europeennes EUE Feb 2011 (2011)
ISBN 10: 613154025X ISBN 13: 9786131540257
New Taschenbuch Quantity Available: 2
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Agrios-Buch
(Bergisch Gladbach, Germany)
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Book Description Editions Universitaires Europeennes EUE Feb 2011, 2011. Taschenbuch. Book Condition: Neu. Neuware - Les travaux présentés participent au développement de composants optoélectroniques dans la lière silicium s'appuyant sur les procédés microélectroniques. Ils présentent l'étude d'un modulateur de lumière à la longueur d'onde de 1,3 microns, basé sur une structure de multipuits SiGe/Si à dopage modulé sur substrat silicium sur isolant. La structure est placée dans la région intrinsèque d'une jonction pin a n de contrôler la densité de trous dans les puits SiGe par l'application d'une tension inverse. La modulation optique est obtenue par la variation d'indice de réfraction des couches SiGe suivant la concentration de trous. L'écriture d'un outil de simulation exploité en plans d'expériences a permis de déterminer les in uences respectives des paramètres de la structure sur l'ef cacité du dispositif. Les étapes technologiques ont été validées sur des composants de test. Les mesures capacité-tension ont permis de remonter aux profils de trous dans la structure en cohérence avec la simulation numérique. La modulation optique a été mise en évidence par la mesure de la variation du coefficient de transmission du multicouche par l'application d'une tension. 220 pp. Französisch. Bookseller Inventory # 9786131540257

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