Analyse et optimisation de transistors pour amplification de puissance: Les transistors à effet de champ pour la bande de fréquence 26-40 GHz (Omn.Univ.Europ.) (French Edition)

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9786131554520: Analyse et optimisation de transistors pour amplification de puissance: Les transistors à effet de champ pour la bande de fréquence 26-40 GHz (Omn.Univ.Europ.) (French Edition)
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L'amélioration permanente des transistors à effet de champ, en terme de fréquence, puissance ou rendement, à conduit ces composants à remplacer progressivement les tubes à vides dans les amplificateurs hyperfréquence. Une méthode de caractérisation spécifiques en statique et en hyperfréquence petit signal des transistors à effet de champ millimétriques en vue d'une utilisation en puissance est présentée. Des analyses sont effectuées afin de déterminer les principales limitations de ces composants associés à des propositions d'améliorations. L'étude se poursuit avec une recherche de l'influence des polarisations drain source et grille source et du développement total de grile sur les comportements en puissance des composants.Enfin un système automatisé de mesures grand signal dans la bande Ka à l'aide d'un banc à charge active permettant d'avoir accès à toutes les grandeurs caractéristiques est développé. Ces mesures et analyses ont pour objectifs l'amélioration de la technologie pour les applications de puissance et la validation des modèles non linéaires utilisés pour la conception de circuits hybrides et monolithiques.

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About the Author:

Christophe Gaquière, professeur à l'Université de Lille I. Enseignant à l'école d'ingénieur de Polytech Lille par ailleurs il effectue ses activités de recherche à l'Institut d'Electronique de Microélectronique et de Nanotechnology (IEMN).

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Gaquiere-C
Published by Univ Europeenne, United States (2010)
ISBN 10: 6131554528 ISBN 13: 9786131554520
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Book Description Univ Europeenne, United States, 2010. Paperback. Condition: New. Language: French . This book usually ship within 10-15 business days and we will endeavor to dispatch orders quicker than this where possible. Brand New Book. L amelioration permanente des transistors a effet de champ, en terme de frequence, puissance ou rendement, a conduit ces composants a remplacer progressivement les tubes a vides dans les amplificateurs hyperfrequence. Une methode de caracterisation specifiques en statique et en hyperfrequence petit signal des transistors a effet de champ millimetriques en vue d une utilisation en puissance est presentee. Des analyses sont effectuees afin de determiner les principales limitations de ces composants associes a des propositions d ameliorations. L etude se poursuit avec une recherche de l influence des polarisations drain source et grille source et du developpement total de grile sur les comportements en puissance des composants.Enfin un systeme automatise de mesures grand signal dans la bande Ka a l aide d un banc a charge active permettant d avoir acces a toutes les grandeurs caracteristiques est developpe. Ces mesures et analyses ont pour objectifs l amelioration de la technologie pour les applications de puissance et la validation des modeles non lineaires utilises pour la conception de circuits hybrides et monolithiques. Seller Inventory # OMN9786131554520

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Published by Univ Europeenne, United States (2010)
ISBN 10: 6131554528 ISBN 13: 9786131554520
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Book Description Univ Europeenne, United States, 2010. Paperback. Condition: New. Language: French . Brand New Book. L amelioration permanente des transistors a effet de champ, en terme de frequence, puissance ou rendement, a conduit ces composants a remplacer progressivement les tubes a vides dans les amplificateurs hyperfrequence. Une methode de caracterisation specifiques en statique et en hyperfrequence petit signal des transistors a effet de champ millimetriques en vue d une utilisation en puissance est presentee. Des analyses sont effectuees afin de determiner les principales limitations de ces composants associes a des propositions d ameliorations. L etude se poursuit avec une recherche de l influence des polarisations drain source et grille source et du developpement total de grile sur les comportements en puissance des composants.Enfin un systeme automatise de mesures grand signal dans la bande Ka a l aide d un banc a charge active permettant d avoir acces a toutes les grandeurs caracteristiques est developpe. Ces mesures et analyses ont pour objectifs l amelioration de la technologie pour les applications de puissance et la validation des modeles non lineaires utilises pour la conception de circuits hybrides et monolithiques. Seller Inventory # KNV9786131554520

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Gaquiere-C (author)
Published by Univ Europeenne 2010-12-14 (2010)
ISBN 10: 6131554528 ISBN 13: 9786131554520
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Gaquiere-C
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ISBN 10: 6131554528 ISBN 13: 9786131554520
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Book Description Univ Europeenne, United States, 2010. Paperback. Condition: New. Language: French . Brand New Book. L amelioration permanente des transistors a effet de champ, en terme de frequence, puissance ou rendement, a conduit ces composants a remplacer progressivement les tubes a vides dans les amplificateurs hyperfrequence. Une methode de caracterisation specifiques en statique et en hyperfrequence petit signal des transistors a effet de champ millimetriques en vue d une utilisation en puissance est presentee. Des analyses sont effectuees afin de determiner les principales limitations de ces composants associes a des propositions d ameliorations. L etude se poursuit avec une recherche de l influence des polarisations drain source et grille source et du developpement total de grile sur les comportements en puissance des composants.Enfin un systeme automatise de mesures grand signal dans la bande Ka a l aide d un banc a charge active permettant d avoir acces a toutes les grandeurs caracteristiques est developpe. Ces mesures et analyses ont pour objectifs l amelioration de la technologie pour les applications de puissance et la validation des modeles non lineaires utilises pour la conception de circuits hybrides et monolithiques. Seller Inventory # KNV9786131554520

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christophe gaquiere
Published by Univ Européenne (2010)
ISBN 10: 6131554528 ISBN 13: 9786131554520
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Gaquiere-C
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ISBN 10: 6131554528 ISBN 13: 9786131554520
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Gaquiere-C
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ISBN 10: 6131554528 ISBN 13: 9786131554520
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christophe gaquiere
Published by Editions Universitaires Europeennes EUE Dez 2010 (2010)
ISBN 10: 6131554528 ISBN 13: 9786131554520
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Book Description Editions Universitaires Europeennes EUE Dez 2010, 2010. Taschenbuch. Condition: Neu. Neuware - L'amélioration permanente des transistors à effet de champ, en terme de fréquence, puissance ou rendement, à conduit ces composants à remplacer progressivement les tubes à vides dans les amplificateurs hyperfréquence. Une méthode de caractérisation spécifiques en statique et en hyperfréquence petit signal des transistors à effet de champ millimétriques en vue d'une utilisation en puissance est présentée. Des analyses sont effectuées afin de déterminer les principales limitations de ces composants associés à des propositions d'améliorations. L'étude se poursuit avec une recherche de l'influence des polarisations drain source et grille source et du développement total de grile sur les comportements en puissance des composants.Enfin un système automatisé de mesures grand signal dans la bande Ka à l'aide d'un banc à charge active permettant d'avoir accès à toutes les grandeurs caractéristiques est développé. Ces mesures et analyses ont pour objectifs l'amélioration de la technologie pour les applications de puissance et la validation des modèles non linéaires utilisés pour la conception de circuits hybrides et monolithiques. 308 pp. Französisch. Seller Inventory # 9786131554520

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christophe gaquiere
Published by Editions Universitaires Europeennes EUE Dez 2010 (2010)
ISBN 10: 6131554528 ISBN 13: 9786131554520
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(Bergisch Gladbach, Germany)
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gaquiere, christophe
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ISBN 10: 6131554528 ISBN 13: 9786131554520
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