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Dopage de Type P Du Zno

Ali Marzouki

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ISBN 10: 613158480X / ISBN 13: 9786131584800
Published by Editions Universitaires Europeennes
New Condition: New Soft cover
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240 pages. Dimensions: 8.7in. x 5.9in. x 0.6in.Lobjectif de cette thse a t ltude du dopage p dans les couches minces et les nano-fils de ZnO, labors par la technique MOCVD. Les chantillons ont t caractriss par SIMS, MEB, TEM, RX, Raman, PL, effet Hall, I(V) et C(V). Les mesures lectriques montrent que les couches dopes azote restent de type n mme aprs avoir subi des traitements thermiques. Des signatures optiques des dopants sont nanmoins observes par photoluminescence et Raman : lincorporation de lazote se traduit par la prsence des niveaux donneurs-accepteurs (DAP) observs par PL et des modes LVM en Raman. La bande DAP est sont beaucoup plus intense en dopant avec lantimoine (Sb) qui sincorpore facilement dans la matrice ZnO atteignant ainsi une concentration de lordre de 1020 at. cm-3. Nous avons russi raliser des structures de diode ZnO: SbZnO ayant les caractristiques de jonction PN. This item ships from multiple locations. Your book may arrive from Roseburg,OR, La Vergne,TN. Bookseller Inventory # 9786131584800

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Bibliographic Details

Title: Dopage de Type P Du Zno

Publisher: Editions Universitaires Europeennes

Binding: Paperback

Book Condition:New

Book Type: Paperback

About this title

Synopsis:

L'objectif de cette thèse a été l'étude du dopage p dans les couches minces et les nano-fils de ZnO, élaborés par la technique MOCVD. Les échantillons ont été caractérisés par SIMS, MEB, TEM, RX, Raman, PL, effet Hall, I(V) et C(V). Les mesures électriques montrent que les couches dopées azote restent de type n même après avoir subi des traitements thermiques. Des signatures optiques des dopants sont néanmoins observées par photoluminescence et Raman : l’incorporation de l’azote se traduit par la présence des niveaux donneurs-accepteurs (DAP) observés par PL et des modes LVM en Raman. La bande DAP est sont beaucoup plus intense en dopant avec l'antimoine (Sb) qui s’incorpore facilement dans la matrice ZnO atteignant ainsi une concentration de l’ordre de 1020 at.cm-3. Nous avons réussi à réaliser des structures de diode ZnO:Sb/ZnO ayant les caractéristiques de jonction PN.

About the Author:

Doctorant avec le groupe de la matière condensée (GEMaC) au CNRS à Meudon (Paris)

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