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Respuesta infrarroja en silicio: Implantación iónica de metales de transición y procesos láser para una nueva generación de fotodetectores de infrarrojo (Spanish Edition) - Softcover
Este libro explora las posibilidades del silicio hiperdopado con metales de transición como candidato para una nueva generación de fotodetectores de infrarrojo (IR) compatibles con la tecnología CMOS y operados a temperatura ambiente. Mediante técnicas de procesado fuera del equilibrio termodinámico, tales como la implantación iónica y el fundido por láser pulsado, se obtendrá silicio con concentraciones de metales de transición varios órdenes de magnitud superiores a los valores de equilibrio. Estas altas concentraciones formarán una banda de estados permitidos en el gap de energías prohibidas del silicio. Las transiciones ópticas que involucren a esta banda darán lugar a la absorción de fotones con energías menores a las del bandgap del silicio, extendiendo sus posibilidades de fotodetección hacia el rango IR del espectro electromagnético. Asimismo se estudiará el compuesto de ZnO dopado con vanadio en el marco de los óxidos conductivos transparentes como posible contacto delantero en fotodetectores o células solares.
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About the Author:
Eric García Hemme (Las Palmas de Gran Canaria, 1985) es Doctor en C.C. Físicas con Premio Extraordinario de Doctorado por la Universidad Complutense de Madrid (2015). Su campo de investigación se centra en el desarrollo de nuevos conceptos de células solares y fotodetectores de infrarrojo.
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- PublisherEditorial Académica Española
- Publication date2017
- ISBN 10 3659098329
- ISBN 13 9783659098321
- BindingPaperback
- Number of pages320
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Respuesta infrarroja en silicio
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Editorial Académica Española Jun 2017
(2017)
ISBN 10: 3659098329
ISBN 13: 9783659098321
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Book Description Taschenbuch. Condition: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -Este libro explora las posibilidades del silicio hiperdopado con metales de transición como candidato para una nueva generación de fotodetectores de infrarrojo (IR) compatibles con la tecnología CMOS y operados a temperatura ambiente. Mediante técnicas de procesado fuera del equilibrio termodinámico, tales como la implantación iónica y el fundido por láser pulsado, se obtendrá silicio con concentraciones de metales de transición varios órdenes de magnitud superiores a los valores de equilibrio. Estas altas concentraciones formarán una banda de estados permitidos en el gap de energías prohibidas del silicio. Las transiciones ópticas que involucren a esta banda darán lugar a la absorción de fotones con energías menores a las del bandgap del silicio, extendiendo sus posibilidades de fotodetección hacia el rango IR del espectro electromagnético. Asimismo se estudiará el compuesto de ZnO dopado con vanadio en el marco de los óxidos conductivos transparentes como posible contacto delantero en fotodetectores o células solares. 320 pp. Spanisch. Seller Inventory # 9783659098321
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Respuesta infrarroja en silicio
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Respuesta infrarroja en silicio : Implantación iónica de metales de transición y procesos láser para una nueva generación de fotodetectores de infrarrojo
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Book Description Paperback. Condition: Brand New. 320 pages. Spanish language. 8.66x5.91x0.73 inches. In Stock. Seller Inventory # zk3659098329
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