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Published by FeadARead.com Publishing, 2015
ISBN 10: 1786100320ISBN 13: 9781786100320
Seller: WorldofBooks, Goring-By-Sea, WS, United Kingdom
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Paperback. Condition: Very Good. The book has been read, but is in excellent condition. Pages are intact and not marred by notes or highlighting. The spine remains undamaged.
Published by FeadARead.com Publishing, 2015
ISBN 10: 1786100320ISBN 13: 9781786100320
Seller: GF Books, Inc., Hawthorne, CA, U.S.A.
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Condition: Fine. Book is in Used-LikeNew condition. Pages and cover are clean and intact. Used items may not include supplementary materials such as CDs or access codes. May show signs of minor shelf wear.
Published by FeadARead.com Publishing, 2015
ISBN 10: 1786100320ISBN 13: 9781786100320
Seller: Book Deals, Tucson, AZ, U.S.A.
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Condition: Fine. Like New condition. Great condition, but not exactly fully crisp. The book may have been opened and read, but there are no defects to the book, jacket or pages.
Published by FeadARead.com Publishing, 2015
ISBN 10: 1786100320ISBN 13: 9781786100320
Seller: GF Books, Inc., Hawthorne, CA, U.S.A.
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Condition: New. Book is in NEW condition.
Published by FeadARead.com Publishing, 2015
ISBN 10: 1786100320ISBN 13: 9781786100320
Seller: Book Deals, Tucson, AZ, U.S.A.
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Condition: New. New! This book is in the same immaculate condition as when it was published.
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ISBN 10: 1786100320ISBN 13: 9781786100320
Seller: Revaluation Books, Exeter, United Kingdom
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Paperback. Condition: Brand New. 296 pages. 9.00x6.00x0.67 inches. In Stock.
Published by Sahar-Publications de l'ENS, 2009
Seller: LibrairieLaLettre2, Villefranche de Lauragais, France
Broché. Condition: Bon état. in-8 Actes de colloque. 153 pp. Une pliure sur la couverture. Langue : Français Nb de volumes : 1.
Published by Éditions Universitaires Européennes Sep 2011, 2011
ISBN 10: 613158480XISBN 13: 9786131584800
Seller: BuchWeltWeit Ludwig Meier e.K., Bergisch Gladbach, Germany
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Taschenbuch. Condition: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -L'objectif de cette thèse a été l'étude du dopage p dans les couches minces et les nano-fils de ZnO, élaborés par la technique MOCVD. Les échantillons ont été caractérisés par SIMS, MEB, TEM, RX, Raman, PL, effet Hall, I(V) et C(V). Les mesures électriques montrent que les couches dopées azote restent de type n même après avoir subi des traitements thermiques. Des signatures optiques des dopants sont néanmoins observées par photoluminescence et Raman : l'incorporation de l'azote se traduit par la présence des niveaux donneurs-accepteurs (DAP) observés par PL et des modes LVM en Raman. La bande DAP est sont beaucoup plus intense en dopant avec l'antimoine (Sb) qui s'incorpore facilement dans la matrice ZnO atteignant ainsi une concentration de l'ordre de 1020 at.cm-3. Nous avons réussi à réaliser des structures de diode ZnO:Sb/ZnO ayant les caractéristiques de jonction PN. 240 pp. Englisch.
Published by Editions universitaires europeennes, 2011
ISBN 10: 613158480XISBN 13: 9786131584800
Seller: Lucky's Textbooks, Dallas, TX, U.S.A.
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Condition: New.
Published by Éditions Universitaires Européennes, 2011
ISBN 10: 613158480XISBN 13: 9786131584800
Seller: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Germany
Book Print on Demand
Taschenbuch. Condition: Neu. nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - L'objectif de cette thèse a été l'étude du dopage p dans les couches minces et les nano-fils de ZnO, élaborés par la technique MOCVD. Les échantillons ont été caractérisés par SIMS, MEB, TEM, RX, Raman, PL, effet Hall, I(V) et C(V). Les mesures électriques montrent que les couches dopées azote restent de type n même après avoir subi des traitements thermiques. Des signatures optiques des dopants sont néanmoins observées par photoluminescence et Raman : l'incorporation de l'azote se traduit par la présence des niveaux donneurs-accepteurs (DAP) observés par PL et des modes LVM en Raman. La bande DAP est sont beaucoup plus intense en dopant avec l'antimoine (Sb) qui s'incorpore facilement dans la matrice ZnO atteignant ainsi une concentration de l'ordre de 1020 at.cm-3. Nous avons réussi à réaliser des structures de diode ZnO:Sb/ZnO ayant les caractéristiques de jonction PN.
Published by Éditions universitaires européennes, 2011
ISBN 10: 613158480XISBN 13: 9786131584800
Seller: moluna, Greven, Germany
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Condition: New.