Taschenbuch. Condition: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -In questo libro, le tecniche di ingegneria del canale e di ingegneria del gate sono combinate per formare nuove strutture di dispositivi proposte come MOSFET a singolo alone e doppio materiale (SHDMG) e MOSFET a doppio alone e doppio materiale (DHDMG). I MOSFET avanzati sono drogati in modo non uniforme a causa del complesso flusso di processo. Pertanto, uno dei fattori chiave per modellare accuratamente i parametri caratteristici � la modellazione del profilo di drogaggio non uniforme. Il libro presenta anche un modello analitico del potenziale superficiale sotto soglia, della tensione di soglia, della corrente di drenaggio basata sulla teoria della diffusione della deriva e della transconduttanza per gli n-MOSFET SHDMG e DHDMG a profilo lineare e gaussiano che operano fino al regime dei 40 nm. Viene inoltre proposto un modello analitico di corrente di drenaggio sotto soglia basato sul potenziale quasi-Fermi per transistor MOS SHDMG e DHDMG lineari e a profilo gaussiano, che incorpora i campi di frangia alle due estremit� del dispositivo. 60 pp. Italienisch. Seller Inventory # 9786206331209

Contact seller

Buy New

US$ 51.28

Convert currency

Shipping: US$ 26.08

From Germany to U.S.A.

Destination, rates & speeds

Quantity: 2 available

Add to basket

Seller Image

Modellazione dei parametri di base per i MOSFET non convenzionali

Swapnadip De

Published by Edizioni Sapienza, 2023

ISBN 10: 6206331202 ISBN 13: 9786206331209

New Taschenbuch

Print on Demand

Seller: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Germany

Seller rating 5 out of 5 stars

Taschenbuch. Condition: Neu. nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - In questo libro, le tecniche di ingegneria del canale e di ingegneria del gate sono combinate per formare nuove strutture di dispositivi proposte come MOSFET a singolo alone e doppio materiale (SHDMG) e MOSFET a doppio alone e doppio materiale (DHDMG). I MOSFET avanzati sono drogati in modo non uniforme a causa del complesso flusso di processo. Pertanto, uno dei fattori chiave per modellare accuratamente i parametri caratteristici � la modellazione del profilo di drogaggio non uniforme. Il libro presenta anche un modello analitico del potenziale superficiale sotto soglia, della tensione di soglia, della corrente di drenaggio basata sulla teoria della diffusione della deriva e della transconduttanza per gli n-MOSFET SHDMG e DHDMG a profilo lineare e gaussiano che operano fino al regime dei 40 nm. Viene inoltre proposto un modello analitico di corrente di drenaggio sotto soglia basato sul potenziale quasi-Fermi per transistor MOS SHDMG e DHDMG lineari e a profilo gaussiano, che incorpora i campi di frangia alle due estremit� del dispositivo. Seller Inventory # 9786206331209

Contact seller