集成电路制造技术——原理与工艺（第二版） - Softcover

冯学智，等

Softcover

ISBN 10: 7121282771 ISBN 13: 9787121282775

Publisher: 电子工业出版社, 2016

Synopsis

全书共分5个单元，第一单元，主要介绍单晶硅衬底结构特点，体硅和外延硅片的制造方法；第二单元~第五单元，主要介绍硅芯片制造基本单项工艺（氧化、掺杂、薄膜制备、光刻、工艺集成与封装测试）的原理、方法、设备，以及依托的技术基础和发展趋势。每单元后都有习题。另外，还在附录中以双极性晶体管制作为例介绍微电子生产实习等内容。第0章绪论0．1何谓集成电路工艺0．2集成电路制造技术发展历程0．3集成电路制造技术特点0．3．1超净环境0．3．2超纯材料0．3．3批量复制和广泛的用途0．4本书内容结构第1单元硅衬底第1章单晶硅特性1．1硅晶体的结构特点1．1．1硅的性质1．1．2硅晶胞1．1．3硅单晶的晶向、晶面1．2硅晶体缺陷1．2．1点缺陷1．2．2线缺陷1．2．3面缺陷和体缺陷1．3硅晶体中的杂质1．3．1杂质对硅电学性质的影响1．3．2固溶度和相图本章小结第2章硅片的制备2．1多晶硅的制备2．1．1冶炼2．1．2提纯2．2单晶硅生长2．2．1直拉法2．2．2单晶生长原理2．2．3晶体掺杂2．2．4磁控直拉法2．2．5悬浮区熔法2．3切制硅片2．3．1切片工艺2．3．2硅片规格及用途本章小结第3章外延3．1概述3．1．1外延概念3．1．2外延工艺种类3．1．3外延工艺用途3．2气相外延3．2．1硅的气相外延工艺3．2．2外延原理3．2．3影响外延生长速率的因素3．2．4外延掺杂3．2．5外延设备3．2．6外延技术3．3分子束外延3．3．1工艺及原理3．3．2外延设备3．3．3MBE工艺特点3．4其他外延方法523．4．1液相外延523．4．2固相外延533．4．3先进外延技术及发展趋势543．5外延缺陷与外延层检测553．5．1外延缺陷类型及分析检测553．5．2图形漂移和畸变现象563．5．3外延层参数测量57本章小结58单元习题一58第2单元氧化与掺杂第4章热氧化4．1二氧化硅薄膜概述4．1．1二氧化硅结构4．1．2二氧化硅的理化性质及用途4．1．3二氧化硅薄膜中的杂质4．1．4杂质在SiO2中的扩散4．1．5二氧化硅的掩蔽作用4．2硅的热氧化4．2．1热氧化工艺4．2．2热氧化机理4．2．3硅的DealGrove热氧化模型4．2．4热氧化生长速率4．2．5影响氧化速率的各种因素4．3初始氧化阶段及薄氧化层制备4．4热氧化过程中杂质的再分布4．4．1杂质的分凝效应4．4．2再分布对硅表面杂质浓度的影响4．5氧化层的质量及检测4．5．1SiO2层厚度的测量4．5．2SiO2层成膜质量的测量4．6其他氧化方法4．6．1掺氯氧化

Edition details

• Publisher: 电子工业出版社
• Publication date: 2016
• Language: Chinese
• ISBN 10: 7121282771
• ISBN 13: 9787121282775
• Binding: Paperback
• Edition number: 1