半导体物理学（第7版） - Softcover

刘恩科

Softcover

ISBN 10: 712132007X ISBN 13: 9787121320071

Publisher: 电子工业出版社, 2017

Synopsis

本书以正确阐述物理概念为主，辅以必要的数学推导，理论分析有一定深度，但又不是把基本物理概念淹没在繁琐的数学运算中，使读者通过学习，达到对半导体中的各种基本物理现象有一全面正确的概念，建立起清晰的半导体物理图像，为后续课程的学习，研究工作的开展，理解各种半导体器件，集成电路的工作机理打下良好的基础。目录第1章半导体中的电子状态1.1半导体的晶格结构和结合性质1.1.1金刚石型结构和共价键1.1.2闪锌矿型结构和混合键1.1.3纤锌矿型结构31.2半导体中的电子状态和能带41.2.1原子的能级和晶体的能带41.2.2半导体中电子的状态和能带1.2.3导体、半导体、绝缘体的能带1.3半导体中电子的运动有效质量1.3.1半导体中E(k)与k的关系［3］1.3.2半导体中电子的平均速度1.3.3半导体中电子的加速度1.3.4有效质量的意义1.4本征半导体的导电机构空穴［3］1.5回旋共振［4］1.5.1k空间等能面1.5.2回旋共振1.6硅和锗的能带结构1.6.1硅和锗的导带结构1.6.2硅和锗的价带结构1.7ⅢⅤ族化合物半导体的能带结构［7］1.7.1锑化铟的能带结构1.7.2砷化镓的能带结构［8］1.7.3磷化镓和磷化铟的能带结构1.7.4混合晶体的能带结构★1.8ⅡⅥ族化合物半导体的能带结构★1.8.1二元化合物的能带结构★1.8.2混合晶体的能带结构★1.9Si1-xGex合金的能带★1.10宽禁带半导体材料★1.10.1GaN、AlN的晶格结构和能带［18］★1.10.2SiC的晶格结构与能带习题参考资料第2章半导体中杂质和缺陷能级2.1硅、锗晶体中的杂质能级2.1.1替位式杂质间隙式杂质2.1.2施主杂质、施主能级2.1.3受主杂质、受主能级392.1.4浅能级杂质电离能的简单计算［２，３］2.1.5杂质的补偿作用2.1.6深能级杂质2.2ⅢⅤ族化合物中的杂质能级★2.3氮化镓、氮化铝、碳化硅中的杂质能级02.4缺陷、位错能级2.4.1点缺陷2.4.2位错3习题参考资料5第3章半导体中载流子的统计分布3.1状态密度［1，2］3.1.1k空间中量子态的分布3.1.2状态密度3.2费米能级和载流子的统计分布3.2.1费米分布函数3.2.2玻耳兹曼分布函数3.2.3导带中的电子浓度和价带中的空穴浓度3.2.4载流子浓度乘积n０p０3.3本征半导体的载流子浓度3.4杂质半导体的载流子浓度3.4.1杂质能级上的电子和空穴3.4.2n型半导体的载流子浓度

Edition details

• Publisher: 电子工业出版社
• Publication date: 2017
• Language: Chinese
• ISBN 10: 712132007X
• ISBN 13: 9787121320071
• Binding: Paperback
• Edition number: 1