Modellierung von bistabilen Quantenpunktstrukturen

Inhaltsangabe: Einleitung: Zu einer der wichtigsten Stützen der post-industriellen Gesellschaft hat sich die Hochtechnologie entwickelt. Neben Spezialanwendungen, wie dem Einsatz von Lasern in der Medizin oder satelliten-gesteuerten Navigationssystemen für PKWs, hat insbesondere der Computer in allen seinen Formen das Leben der Menschen durchdrungen. Der multimediale Einsatz von Rechnern in der modernen Informationsgesellschaft, forciert durch das Internet und (zukünftige) Mobilfunkgeräte, eröffnete in den letzten Jahren schier unendliche neue Anwendungsgebiete für diese Technologien. Bedingt durch den Kostendruck sowie gesteigerte Erwartungen an Funktionalität und Flexibilität der Geräte, hat sich die Halbleitertechnologie im Laufe der letzten Jahrzehnte als die Grundlage zur Konstruktion neuer elektronischer Bauelemente durchgesetzt. Damit einhergehend setzte eine Miniaturisierung der verwendeten Strukturen ein. Im Rahmen dieser Miniaturisierung wurden sogenannte Quantenpunkte in den letzten Jahren intensiv untersucht. Mittels moderner Wachstumsverfahren können Halbleiterschichten bis auf eine Atomlage genau erzeugt werden. Trägt man Materialien mit verschiedener Gitterkonstante übereinander auf, zum Beispiel InAs auf GaAs, so verspannt sich das Halbleitergitter an der Übergangsschicht. Diese Verspannungen aufgrund der unterschiedlichen Gitterkonstanten relaxieren durch Inselbildungen; so entstandene Strukturen können sehr klein sein (Abmessungen im Bereich von 10 nm bis 100 nm), mit einer sehr regelmäßigen Größe und Form. Solche Halbleiterstrukturen entstehen also selbstorganisiert, man spricht daher auch von selbstorganisierten Quantenpunkten, der Wachstumsmodus heißt Stranski-Krastanow [Bim99]. Quantenpunkte - auch, künstlichen Atome`` genannt - haben in allen drei Raumrichtungen sehr kleine Ausmaße. Ladungsträger in den Quantenpunkten können sich nicht mehr frei bewegen, was zu einer starken Lokalisierung von ersteren führt. Aufgrund dieser geringen A