SRAM-Design in Nanometer-Technologien

Pulla Reddy A.

ISBN 10: 6206905705 / ISBN 13: 9786206905707

Published by Verlag Unser Wissen Dez 2023, 2023

About this Item

This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -Bei der Entwicklung von VLSI, wo eine Verbesserung der Mindestversorgungsspannung und eine Änderung der Speicherzugriffs- oder Zykluszeiten um einige Pico-Sekunden einen großen Einfluss auf die Leistung von SoC-Designs haben. Die Schreib- und Lesestabilität von SRAM-Zellen ist bei niedrigen Versorgungsspannungen und auch bei Prozess-, Spannungs- und Temperaturschwankungen von größter Bedeutung. Wenn eine niedrige Versorgungsspannung an die SRAM-Zelle angelegt wird, kann der Schreibvorgang nicht durchgeführt werden, da die Zelle nicht auf die gewünschten Spannungspegel kippen kann. Zur Verringerung von Schreibfehlern bei niedrigen Versorgungsspannungen wird eine Schreibhilfsschaltung vorgeschlagen, die eine negative Bitleitungsspannung verwendet und die SRAM-Zelle dabei unterstützt, auf die gewünschten Spannungspegel zu kippen und den Schreibvorgang zu unterstützen.Wenn eine niedrige Versorgungsspannung an die SRAM-Zelle angelegt wird, kann der Lesevorgang in der ausgewählten Zelle nicht durchgeführt werden und die in der Zelle gespeicherten Daten werden in den nicht ausgewählten Zellen gestört. Die vorgeschlagene Schaltungstechnik zur Leseunterstützung bei niedriger WL-Spannung verhindert, dass die Daten in den nicht ausgewählten Zellen gestört werden, und unterstützt auch den Lesevorgang in der ausgewählten Zelle.VDM Verlag, Dudweiler Landstraße 99, 66123 Saarbrücken 132 pp. Deutsch.

Seller Inventory # 9786206905707

Bibliographic Details

• Title: SRAM-Design in Nanometer-Technologien
• Publisher: Verlag Unser Wissen Dez 2023
• Publication Date: 2023
• Language: German
• ISBN 10: 6206905705
• ISBN 13: 9786206905707
• Binding: Taschenbuch
• Condition: Neu
• Dimensions: 220W x 150H x 9D millimeters 220 millimeters width by 150 millimeters height by 9 millimeters depth
• Weight: 215 grams

About this title

Synopsis

Bei der Entwicklung von VLSI, wo eine Verbesserung der Mindestversorgungsspannung und eine Änderung der Speicherzugriffs- oder Zykluszeiten um einige Pico-Sekunden einen großen Einfluss auf die Leistung von SoC-Designs haben. Die Schreib- und Lesestabilität von SRAM-Zellen ist bei niedrigen Versorgungsspannungen und auch bei Prozess-, Spannungs- und Temperaturschwankungen von größter Bedeutung. Wenn eine niedrige Versorgungsspannung an die SRAM-Zelle angelegt wird, kann der Schreibvorgang nicht durchgeführt werden, da die Zelle nicht auf die gewünschten Spannungspegel kippen kann. Zur Verringerung von Schreibfehlern bei niedrigen Versorgungsspannungen wird eine Schreibhilfsschaltung vorgeschlagen, die eine negative Bitleitungsspannung verwendet und die SRAM-Zelle dabei unterstützt, auf die gewünschten Spannungspegel zu kippen und den Schreibvorgang zu unterstützen.Wenn eine niedrige Versorgungsspannung an die SRAM-Zelle angelegt wird, kann der Lesevorgang in der ausgewählten Zelle nicht durchgeführt werden und die in der Zelle gespeicherten Daten werden in den nicht ausgewählten Zellen gestört. Die vorgeschlagene Schaltungstechnik zur Leseunterstützung bei niedriger WL-Spannung verhindert, dass die Daten in den nicht ausgewählten Zellen gestört werden, und unterstützt auch den Lesevorgang in der ausgewählten Zelle.