Schlachetzki Andreas (18 results)

OBroschur. 403 Seiten. Zustand: Vortitelblatt mit Ausschnitt (Textverlust des Reihentitels und vermutlich eines Besitzereintrags), abgesehen hiervon ist das Buch in gutem Zustand. Size: 8°.

OBroschur. Blockseminar vom 15. bis 16. September 1993 im Rahmen des Graduiertenkollegs "Metrologie in Physik und Technik", Veranstalter : TU Braunschweig (Institut für Halbleitertechnik) und Physikalisch-Technische Bundesanstalt (Fertigungsmeßtechnik). 183S. Veröffentlicht in der Reihe : PTB_Berichte (f - 16). Size: 4°. …

kart. 257 Seiten. Mit 100 graph. Darstellungen. Rote Originalbroschor. Absolut neuwertiges Exemplar. 19x12,5 cm Sprache: Deutsch Gewicht in Gramm: 300.

PF. Condition: New.

Condition: New. In English.

Condition: New. pp. 264.

Condition: New. 1984. Paperback. . . . . .

Taschenbuch. Condition: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - Vor rund 25 Jahren entstanden die ersten tragfahigen Ideen, mit Halbleitern hochfrequente elektrische Schwingungen zu er zeugen. Es folgte eine Periode sturmischer Entwicklung von Halbleiterbauelementen, die die bis dahin auch bei hohen Fre quenzen dominierenden R5hren auf spezielle Hochleistungsan wendungen abdrangten. Daruberhinaus wurden fur Halbleiter Fre quenzbereiche erschlossen, die bisher unzuganglich waren. In den letzten Jahren haben die Halbleiterbauelemente fur das Mi krowellengebiet im wesentlichen ihre Reife erhalten, abgesehen von den Feldeffekttransistoren, die zu immer h5heren Frequen zen vorstoBen. Dieses Buch behandelt Halbleiterbauelemente, die im Zentimeter und Millimeterwellengebiet eingesetzt werden, allerdings mit der Beschrankung auf aktive Komponenten. Der Schwerpunkt liegt auf den Laufzeitdioden und den Gunn-Elementen, den klassischen Halbleiterbauelementen der Mikrowellentechnik. Beide Gruppen von Bauelementen arbeiten mit heiBen Elektronen und nutzen die Laufzeit der Elektronen durch einen geeignet gestalteten Halb leiterbereich aus. Dagegen werden andere Mikrowellenbauelemen te, wie Tunneldioden oder Step-Recovery-Dioden, wegen ihrer nur begrenzten Wichtigkeit nicht behandelt. Bipolare Transi storen geh5ren ebensowenig wie die Feldeffekttransistoren zu den Mikrowellenbauelementen im engeren Sinn, obwohl bipolare Transistoren jetzt schon mit einer Grenzfrequenz von 12 GHz verfugbar sind und damit weit in das hier interessierende Fre quenzgebiet oberhalb 1 GHz hineinreichen.…

Condition: New. 1984. Paperback. . . . . . Books ship from the US and Ireland.

Condition: Sehr gut. Zustand: Sehr gut | Seiten: 264 | Sprache: Deutsch | Produktart: Bücher | Vor rund 25 Jahren entstanden die ersten tragfahigen Ideen, mit Halbleitern hochfrequente elektrische Schwingungen zu er­ zeugen. Es folgte eine Periode sturmischer Entwicklung von Halbleiterbauelementen, die die bis dahin auch bei hohen Fre­ quenzen dominierenden R5hren auf spezielle Hochleistungsan­ wendungen abdrangten. Daruberhinaus wurden fur Halbleiter Fre­ quenzbereiche erschlossen, die bisher unzuganglich waren. In den letzten Jahren haben die Halbleiterbauelemente fur das Mi­ krowellengebiet im wesentlichen ihre Reife erhalten, abgesehen von den Feldeffekttransistoren, die zu immer h5heren Frequen­ zen vorstoBen. Dieses Buch behandelt Halbleiterbauelemente, die im Zentimeter­ und Millimeterwellengebiet eingesetzt werden, allerdings mit der Beschrankung auf aktive Komponenten. Der Schwerpunkt liegt auf den Laufzeitdioden und den Gunn-Elementen, den klassischen Halbleiterbauelementen der Mikrowellentechnik. Beide Gruppen von Bauelementen arbeiten mit heiBen Elektronen und nutzen die Laufzeit der Elektronen durch einen geeignet gestalteten Halb­ leiterbereich aus. Dagegen werden andere Mikrowellenbauelemen­ te, wie Tunneldioden oder Step-Recovery-Dioden, wegen ihrer nur begrenzten Wichtigkeit nicht behandelt. Bipolare Transi­ storen geh5ren ebensowenig wie die Feldeffekttransistoren zu den Mikrowellenbauelementen im engeren Sinn, obwohl bipolare Transistoren jetzt schon mit einer Grenzfrequenz von 12 GHz verfugbar sind und damit weit in das hier interessierende Fre­ quenzgebiet oberhalb 1 GHz hineinreichen. …

Taschenbuch. Condition: Neu. Halbleiterbauelemente der Hochfrequenztechnik | Laufzeitdioden, Gunn-Elemente, Mikrowellen-Feldeffekttransistoren | Andreas Schlachetzki | Taschenbuch | Teubner Studienskripte Technik | 261 S. | Deutsch | 1984 | Vieweg+Teubner Verlag | EAN 9783519000990 | Verantwortliche Person für die EU: Springer Vieweg in Springer Science + Business Media, Abraham-Lincoln-Str. 46, 65189 Wiesbaden, juergen[dot]hartmann[at]springer[dot]com | Anbieter: preigu.…

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Condition: Sehr gut. Zustand: Sehr gut | Seiten: 403 | Sprache: Deutsch | Produktart: Bücher | Keine Beschreibung verfügbar.

Taschenbuch. Condition: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -Vor rund 25 Jahren entstanden die ersten tragfahigen Ideen, mit Halbleitern hochfrequente elektrische Schwingungen zu er zeugen. Es folgte eine Periode sturmischer Entwicklung von Halbleiterbauelementen, die die bis dahin auch bei hohen Fre quenzen dominierenden R5hren auf spezielle Hochleistungsan wendungen abdrangten. Daruberhinaus wurden fur Halbleiter Fre quenzbereiche erschlossen, die bisher unzuganglich waren. In den letzten Jahren haben die Halbleiterbauelemente fur das Mi krowellengebiet im wesentlichen ihre Reife erhalten, abgesehen von den Feldeffekttransistoren, die zu immer h5heren Frequen zen vorstoBen. Dieses Buch behandelt Halbleiterbauelemente, die im Zentimeter und Millimeterwellengebiet eingesetzt werden, allerdings mit der Beschrankung auf aktive Komponenten. Der Schwerpunkt liegt auf den Laufzeitdioden und den Gunn-Elementen, den klassischen Halbleiterbauelementen der Mikrowellentechnik. Beide Gruppen von Bauelementen arbeiten mit heiBen Elektronen und nutzen die Laufzeit der Elektronen durch einen geeignet gestalteten Halb leiterbereich aus. Dagegen werden andere Mikrowellenbauelemen te, wie Tunneldioden oder Step-Recovery-Dioden, wegen ihrer nur begrenzten Wichtigkeit nicht behandelt. Bipolare Transi storen geh5ren ebensowenig wie die Feldeffekttransistoren zu den Mikrowellenbauelementen im engeren Sinn, obwohl bipolare Transistoren jetzt schon mit einer Grenzfrequenz von 12 GHz verfugbar sind und damit weit in das hier interessierende Fre quenzgebiet oberhalb 1 GHz hineinreichen. 264 pp. Deutsch.…

Condition: New. Print on Demand pp. 264 20:B&W 5 x 8 in or 203 x 127 mm Perfect Bound on White w/Gloss Lam.

Condition: New. PRINT ON DEMAND pp. 264.

Condition: New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. I. Einleitung.- II. Lawinenlaufzeitdioden.- III. Elektronen-Transfer-Bauelemente.- IV. Oszillatoren.- V. Anwendungen.- VI. Mikrowellen-Feldeffekttransistoren.- Schlagwortverzeichnis.Vor rund 25 Jahren entstanden die ersten tragfahigen Ideen, mit Halblei.…

Taschenbuch. Condition: Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -Vor rund 25 Jahren entstanden die ersten tragfahigen Ideen, mit Halbleitern hochfrequente elektrische Schwingungen zu er zeugen. Es folgte eine Periode sturmischer Entwicklung von Halbleiterbauelementen, die die bis dahin auch bei hohen Fre quenzen dominierenden R5hren auf spezielle Hochleistungsan wendungen abdrangten. Daruberhinaus wurden fur Halbleiter Fre quenzbereiche erschlossen, die bisher unzuganglich waren. In den letzten Jahren haben die Halbleiterbauelemente fur das Mi krowellengebiet im wesentlichen ihre Reife erhalten, abgesehen von den Feldeffekttransistoren, die zu immer h5heren Frequen zen vorstoBen. Dieses Buch behandelt Halbleiterbauelemente, die im Zentimeter und Millimeterwellengebiet eingesetzt werden, allerdings mit der Beschrankung auf aktive Komponenten. Der Schwerpunkt liegt auf den Laufzeitdioden und den Gunn-Elementen, den klassischen Halbleiterbauelementen der Mikrowellentechnik. Beide Gruppen von Bauelementen arbeiten mit heiBen Elektronen und nutzen die Laufzeit der Elektronen durch einen geeignet gestalteten Halb leiterbereich aus. Dagegen werden andere Mikrowellenbauelemen te, wie Tunneldioden oder Step-Recovery-Dioden, wegen ihrer nur begrenzten Wichtigkeit nicht behandelt. Bipolare Transi storen geh5ren ebensowenig wie die Feldeffekttransistoren zu den Mikrowellenbauelementen im engeren Sinn, obwohl bipolare Transistoren jetzt schon mit einer Grenzfrequenz von 12 GHz verfugbar sind und damit weit in das hier interessierende Fre quenzgebiet oberhalb 1 GHz hineinreichen.Vieweg+Teubner Verlag, Abraham-Lincoln-Straße 46, 65189 Wiesbaden 264 pp. Deutsch. …